XR80N02F
IC
PDFN5060-8L
可供量大可议
XR80N02F
高单元密度沟槽式N沟道MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩耐量， 具备完整功能可靠性认证。
品牌
XNRUSEMI
封装
PDFN5060-8L
库存
3,110
货期
现货
XR80N02F参数
| 封装 | PDFN5060-8L |
|---|---|
| 品牌 | XNRUSEMI(新锐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3110 |
XR80N02F概述
高单元密度沟槽式N沟道MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩耐量， 具备完整功能可靠性认证。
XR80N02F特性
暂无产品特性。
XR80N02F应用领域
暂无应用领域。