XR60N10L
IC
TO-252-3L
可供量大可议
XR60N10L
是高性能沟槽 N 沟道 MOSFET， 具有极高的单元密度， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。 符合 RoHS 和绿色产品要求， 100% 保证雪崩耐量 (EAS)， 具备完整的功能可靠性认证。
品牌
XNRUSEMI
封装
TO-252-3L
库存
1,020
货期
现货
XR60N10L参数
| 封装 | TO-252-3L |
|---|---|
| 品牌 | XNRUSEMI(新锐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1020 |
XR60N10L概述
是高性能沟槽 N 沟道 MOSFET， 具有极高的单元密度， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。 符合 RoHS 和绿色产品要求， 100% 保证雪崩耐量 (EAS)， 具备完整的功能可靠性认证。
XR60N10L特性
暂无产品特性。
XR60N10L应用领域
暂无应用领域。