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XR5N06K
IC

SOT-223-3L

可供量大可议

XR5N06K

N沟道快速开关MOSFET, 具备低栅极电荷、高电池密度沟槽技术, 适用于小功率开关和负载开关应用

品牌

XNRUSEMI

封装

SOT-223-3L

库存

220

货期

现货

XR5N06K参数

封装SOT-223-3L
品牌XNRUSEMI(新锐)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存220

XR5N06K概述

N沟道快速开关MOSFET, 具备低栅极电荷、高电池密度沟槽技术, 适用于小功率开关和负载开关应用

XR5N06K特性

暂无产品特性。

XR5N06K应用领域

暂无应用领域。

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