XR3350M
IC
DFN3030-8L
可供量大可议
XR3350M
特性：绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。 TrenchFET功率MOSFET。 优秀的导通电阻RDS(on)。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。 ESD额定值：2000V HBM
品牌
XNRUSEMI
封装
DFN3030-8L
库存
1,265
货期
现货
XR3350M参数
| 封装 | DFN3030-8L |
|---|---|
| 品牌 | XNRUSEMI(新锐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1265 |
XR3350M概述
特性：绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。 TrenchFET功率MOSFET。 优秀的导通电阻RDS(on)。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。 ESD额定值：2000V HBM
XR3350M特性
暂无产品特性。
XR3350M应用领域
暂无应用领域。