XR3330M
IC
DFN3030-8L
可供量大可议
XR3330M
特性：采用TrenchFET技术。 出色的导通电阻。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。 ESD等级：2000V HBM
品牌
XNRUSEMI
封装
DFN3030-8L
库存
3,565
货期
现货
XR3330M参数
| 封装 | DFN3030-8L |
|---|---|
| 品牌 | XNRUSEMI(新锐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3565 |
XR3330M概述
特性：采用TrenchFET技术。 出色的导通电阻。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。 ESD等级：2000V HBM
XR3330M特性
暂无产品特性。
XR3330M应用领域
暂无应用领域。