XR3325M
IC
DFN2030-8L
可供量大可议
XR3325M
特性：TrenchFET功率MOSFET。 出色的导通电阻（RDS(on)）。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。 ESD额定值：2000V HBM
品牌
XNRUSEMI
封装
DFN2030-8L
库存
2,285
货期
现货
XR3325M参数
| 封装 | DFN2030-8L |
|---|---|
| 品牌 | XNRUSEMI(新锐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2285 |
XR3325M概述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 出色的导通电阻（RDS(on)）。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。 ESD额定值：2000V HBM
XR3325M特性
暂无产品特性。
XR3325M应用领域
暂无应用领域。