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XR3320M
IC

DFN3030-8L

可供量大可议

XR3320M

特性:TrenchFET Power MOSFET。 优秀的RDS(on)。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。 ESD额定值:2000V HBM

品牌

XNRUSEMI

封装

DFN3030-8L

库存

4,855

货期

现货

XR3320M参数

封装DFN3030-8L
品牌XNRUSEMI(新锐)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存4855

XR3320M概述

特性:TrenchFET Power MOSFET。 优秀的RDS(on)。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。 ESD额定值:2000V HBM

XR3320M特性

暂无产品特性。

XR3320M应用领域

暂无应用领域。

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