XR30N03BD
IC
PDFN3333-8L
可供量大可议
XR30N03BD
XR30N03BD是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDSON和栅极电荷。 XR30N03BD符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩能量耐量EAS， 并通过全功能可靠性认证。
品牌
XNRUSEMI
封装
PDFN3333-8L
库存
4,450
货期
现货
XR30N03BD参数
| 封装 | PDFN3333-8L |
|---|---|
| 品牌 | XNRUSEMI(新锐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4450 |
XR30N03BD概述
XR30N03BD是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDSON和栅极电荷。 XR30N03BD符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩能量耐量EAS， 并通过全功能可靠性认证。
XR30N03BD特性
暂无产品特性。
XR30N03BD应用领域
暂无应用领域。