XR20P06F
IC
PDFN5060-8L
可供量大可议
XR20P06F
高单元密度沟槽式P沟道MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩能量耐量， 具备完整功能可靠性认证。
品牌
XNRUSEMI
封装
PDFN5060-8L
库存
1,865
货期
现货
XR20P06F参数
| 封装 | PDFN5060-8L |
|---|---|
| 品牌 | XNRUSEMI(新锐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1865 |
XR20P06F概述
高单元密度沟槽式P沟道MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩能量耐量， 具备完整功能可靠性认证。
XR20P06F特性
暂无产品特性。
XR20P06F应用领域
暂无应用领域。