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XR20P03D
IC

PDFN-8L(3.3x3.3)

可供量大可议

XR20P03D

P沟道快速开关MOSFET, 超低栅极电荷, 先进高单元密度沟槽技术

品牌

XNRUSEMI

封装

PDFN-8L(3.3x3.3)

库存

2,245

货期

现货

XR20P03D参数

封装PDFN-8L(3.3x3.3)
品牌XNRUSEMI(新锐)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2245

XR20P03D概述

P沟道快速开关MOSFET, 超低栅极电荷, 先进高单元密度沟槽技术

XR20P03D特性

暂无产品特性。

XR20P03D应用领域

暂无应用领域。

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