XR200N03G
IC
TO-263
可供量大可议
XR200N03G
高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩能量耐量（EAS）， 具备完整的功能可靠性认证。
品牌
XNRUSEMI
封装
TO-263
库存
90
货期
现货
XR200N03G参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | XNRUSEMI(新锐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
XR200N03G概述
高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩能量耐量（EAS）， 具备完整的功能可靠性认证。
XR200N03G特性
暂无产品特性。
XR200N03G应用领域
暂无应用领域。