XR12N03M
IC
DFN2020-6L
可供量大可议
XR12N03M
是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET， 为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和效率。 符合RoHS和绿色产品要求， 具备完整的功能可靠性。
品牌
XNRUSEMI
封装
DFN2020-6L
库存
260
货期
现货
XR12N03M参数
| 封装 | DFN2020-6L |
|---|---|
| 品牌 | XNRUSEMI(新锐) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 260 |
XR12N03M概述
是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET， 为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和效率。 符合RoHS和绿色产品要求， 具备完整的功能可靠性。
XR12N03M特性
暂无产品特性。
XR12N03M应用领域
暂无应用领域。