XPH6R30ANB, L1XHQ
IC
SOIC-8-5mm
可供量大可议
XPH6R30ANB, L1XHQ
特性：AEC-Q101合格。 小型、薄型封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.3 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强模式：VDM = 2.5至3.5V (VDS = 10V, ID = 0.5 mA)。 应用：汽车。 电机驱动器
品牌
TOSHIBA
封装
SOIC-8-5mm
库存
63
货期
现货
XPH6R30ANB, L1XHQ参数
| 封装 | SOIC-8-5mm |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 63 |
XPH6R30ANB, L1XHQ概述
特性：AEC-Q101合格。 小型、薄型封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.3 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强模式：VDM = 2.5至3.5V (VDS = 10V, ID = 0.5 mA)。 应用：汽车。 电机驱动器
XPH6R30ANB, L1XHQ特性
暂无产品特性。
XPH6R30ANB, L1XHQ应用领域
暂无应用领域。