XP262N7002TR-G-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备60V的漏源击穿电压（VDSS）， 可持续通过0.3A的漏极电流（ID）， 导通电阻为1000mΩ（RDON）， 适用于对功率要求适中的电路设计。 该器件常用于小型电源模块、电池供电设备及信号切换电路中， 具有良好的开关特性和稳定性， 适合多种通用电子产品的应用需求。