XP262N70023R-G-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备60V漏源击穿电压与20V栅源耐压， 支持0.1A连续漏极电流， 导通电阻为1300mΩ。 其参数特性适用于低压信号切换、便携式电子设备电源管理及小功率负载控制场景。 器件在低电流应用中提供稳定的开关性能， 有助于简化电路设计并优化系统功耗， 适合对空间布局有严格要求的紧凑型电子产品。