XP236N2001TR-G-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源耐压（VDSS）与2A连续漏极电流（ID）能力， 适用于中低功率开关应用。 86mΩ的导通电阻（RDON）可在较低电流下实现良好的导通效率， 减少发热并提升整体能效。 器件结构稳定， 响应速度快， 适合应用于小型电源转换器、智能控制电路、电池供电设备及各类电子负载管理场景， 为多样化电子产品提供高效、可靠的半导体支持方案。