XP202A0003PR-G-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的额定漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）低至50毫欧， 可实现高效功率传输。 采用P沟道结构， 适用于多种电源管理和开关电路场景。 器件具备良好的热稳定性和快速开关特性， 适合用于小型电机驱动、电池供电设备、便携式电子产品及各类低边或高边开关应用中， 满足对尺寸与性能均有要求的电路设计需求。