XP161A1265PR

N- 沟道功率 MOSFET 具有低导通电阻和超高速开关特性。 由于可以进行高速开关， 因此可以高效设置 IC 从而节省能源。 内置栅极保护二极管以防止静电损坏。 小型 SOT-89 封装使高密度安装成为可能。