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XP151A13A0MR-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

XP151A13A0MR-HXY

这款XP151A13A0MR -MOS管采用先进的N沟道技术, 封装形式为SOT-23, 小巧而高效。 其核心参数出色, 具备20V的额定电压VDSS和高达2.3A的连续漏极电流ID, 确保了卓越的电力处理能力。 尤为突出的是, 该器件拥有超低的导通电阻RD(on), 仅为48mΩ, 可显著降低功耗, 提升系统能效, 是您在设计高效率电源转换、电机驱动等应用中的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

1,340

货期

现货

XP151A13A0MR-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存1340

XP151A13A0MR-HXY概述

这款XP151A13A0MR -MOS管采用先进的N沟道技术, 封装形式为SOT-23, 小巧而高效。 其核心参数出色, 具备20V的额定电压VDSS和高达2.3A的连续漏极电流ID, 确保了卓越的电力处理能力。 尤为突出的是, 该器件拥有超低的导通电阻RD(on), 仅为48mΩ, 可显著降低功耗, 提升系统能效, 是您在设计高效率电源转换、电机驱动等应用中的理想选择。

XP151A13A0MR-HXY特性

暂无产品特性。

XP151A13A0MR-HXY应用领域

暂无应用领域。

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