XP151A13A0MR-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
XP151A13A0MR-HXY
这款XP151A13A0MR -MOS管采用先进的N沟道技术, 封装形式为SOT-23, 小巧而高效。 其核心参数出色, 具备20V的额定电压VDSS和高达2.3A的连续漏极电流ID, 确保了卓越的电力处理能力。 尤为突出的是, 该器件拥有超低的导通电阻RD(on), 仅为48mΩ, 可显著降低功耗, 提升系统能效, 是您在设计高效率电源转换、电机驱动等应用中的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
1,340
货期
现货
XP151A13A0MR-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1340 |
XP151A13A0MR-HXY概述
这款XP151A13A0MR -MOS管采用先进的N沟道技术, 封装形式为SOT-23, 小巧而高效。 其核心参数出色, 具备20V的额定电压VDSS和高达2.3A的连续漏极电流ID, 确保了卓越的电力处理能力。 尤为突出的是, 该器件拥有超低的导通电阻RD(on), 仅为48mΩ, 可显著降低功耗, 提升系统能效, 是您在设计高效率电源转换、电机驱动等应用中的理想选择。
XP151A13A0MR-HXY特性
暂无产品特性。
XP151A13A0MR-HXY应用领域
暂无应用领域。
