XP151A11B0MR-VB
IC
SOT-23(TO-236)
可供量大可议
XP151A11B0MR-VB
台积电流片， 长电科技封装； 这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N）， 采用Trench工艺制造。 适用于需要高性能、高可靠性的电子系统， 如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。 SOT23； N—Channel沟道, 30V； 6.5A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=0.7~2V
Brand
VBsemi
Package
SOT-23(TO-236)
Stock
45
货期
现货
XP151A11B0MR-VBParameters
| 封装 | SOT-23(TO-236) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V； 33mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 输入电容(Ciss) | 335pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
| 商品型号 | XP151A11B0MR-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 4.5e-05 |
XP151A11B0MR-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N）， 采用Trench工艺制造。 适用于需要高性能、高可靠性的电子系统， 如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。 SOT23； N—Channel沟道, 30V； 6.5A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=0.7~2V
XP151A11B0MR-VB特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
XP151A11B0MR-VB应用领域
暂无应用领域。