XD028M050BX1S3
IC
TO-247-3
可供量大可议
XD028M050BX1S3
特性：RDS(on) = 0.24Ω (最大) @VGS=10V, ID = 28A。 用于高压器件的新技术。 低导通电阻。 低输入电容。 快速开关。 应用：LED电源。 手机充电器
品牌
XDM
封装
TO-247-3
库存
10
货期
现货
XD028M050BX1S3参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | XDM(芯达茂) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
XD028M050BX1S3概述
特性：RDS(on) = 0.24Ω (最大) @VGS=10V, ID = 28A。 用于高压器件的新技术。 低导通电阻。 低输入电容。 快速开关。 应用：LED电源。 手机充电器
XD028M050BX1S3特性
暂无产品特性。
XD028M050BX1S3应用领域
暂无应用领域。