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XBS206S19R-G-HXY
IC

SMA

可供量大可议

XBS206S19R-G-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)不超过500μA, 具备良好的阻断性能。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、便携设备电源管理及各类对效率和热性能有要求的电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

185

货期

现货

XBS206S19R-G-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

XBS206S19R-G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)不超过500μA, 具备良好的阻断性能。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、便携设备电源管理及各类对效率和热性能有要求的电子电路中。

XBS206S19R-G-HXY特性

暂无产品特性。

XBS206S19R-G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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