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XBS204S19R-G-HXY
IC

SMA

可供量大可议

XBS204S19R-G-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有2A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 在导通状态下能耗较低; 反向漏电流(IR)为500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、续流保护及低电压高效能转换等电路应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

185

货期

现货

XBS204S19R-G-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

XBS204S19R-G-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有2A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.55V, 在导通状态下能耗较低; 反向漏电流(IR)为500μA。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、续流保护及低电压高效能转换等电路应用。

XBS204S19R-G-HXY特性

暂无产品特性。

XBS204S19R-G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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