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XBS024S15R-G-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

XBS024S15R-G-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.54V, 在低功耗电路中可有效减少能量损耗; 反向漏电流(IR)为90μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件支持1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、信号解调、电压钳位及各类便携式电子设备中的高效能电路设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

180

货期

现货

XBS024S15R-G-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存180

XBS024S15R-G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.54V, 在低功耗电路中可有效减少能量损耗; 反向漏电流(IR)为90μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件支持1A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、信号解调、电压钳位及各类便携式电子设备中的高效能电路设计。

XBS024S15R-G-HXY特性

暂无产品特性。

XBS024S15R-G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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