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XBS023P11R-G-HXY
IC

SOD-523

可供量大可议

XBS023P11R-G-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达30V。 其正向压降(VF)典型值为0.5V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)为30μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受峰值正向浪涌电流(IFSM)达1A, 适用于高频整流、电源管理、信号解调及低电压降要求的电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-523

库存

90

货期

现货

XBS023P11R-G-HXY参数

封装SOD-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存90

XBS023P11R-G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为0.2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达30V。 其正向压降(VF)典型值为0.5V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)为30μA, 体现出良好的反向阻断能力。 器件可承受峰值正向浪涌电流(IFSM)达1A, 适用于高频整流、电源管理、信号解调及低电压降要求的电子电路中。

XBS023P11R-G-HXY特性

暂无产品特性。

XBS023P11R-G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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