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X5H015360FK1H-X
IC

SMD5032-2P

可供量大可议

X5H015360FK1H-X

特性:频率:15.360000MHz。 频率公差:在25℃±3℃时为±30ppm。 等效电阻:最大100欧姆/串联。 储存温度范围:-40℃至+85℃。 工作温度范围:-40℃至+85℃。 温度漂移:在-40℃至+85℃时为±50ppm。 负载电容(CL):20.0pF。 驱动电平:10μW(最大300μW)。 并联电容:最大7.0pF。 绝缘电阻:在直流100V时大于500M欧姆。 振荡模式:基频。 冲击:从50cm高度落在硬木上3次, 频率变化小于±5ppm, 电阻变化小于±15%或最大2欧姆。 老化:小于±5ppm/年。 基座:HSX530G陶瓷基座

Brand

HELE

Package

SMD5032-2P

Stock

697

货期

现货

X5H015360FK1H-XParameters

封装SMD5032-2P
品牌HELE(台湾加高)
MOQ / SPQ1 / 1
分类无源晶振
库存697

X5H015360FK1H-X概述

特性:频率:15.360000MHz。 频率公差:在25℃±3℃时为±30ppm。 等效电阻:最大100欧姆/串联。 储存温度范围:-40℃至+85℃。 工作温度范围:-40℃至+85℃。 温度漂移:在-40℃至+85℃时为±50ppm。 负载电容(CL):20.0pF。 驱动电平:10μW(最大300μW)。 并联电容:最大7.0pF。 绝缘电阻:在直流100V时大于500M欧姆。 振荡模式:基频。 冲击:从50cm高度落在硬木上3次, 频率变化小于±5ppm, 电阻变化小于±15%或最大2欧姆。 老化:小于±5ppm/年。 基座:HSX530G陶瓷基座

X5H015360FK1H-X特性

暂无产品特性。

X5H015360FK1H-X应用领域

暂无应用领域。

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