X3S025000BA1H-U
IC
SMD3225-4P
可供量大可议
X3S025000BA1H-U
特性:频率:25.000000MHz。 频率公差:在25℃±3℃时为±10 ppm。 等效电阻:最大60欧姆/串联。 储存温度范围:-40℃至+85℃。 工作温度范围:-20℃至+70℃。 温度漂移:在-20℃至+70℃时为±10ppm。 负载电容(CL):10.0pF。 驱动电平:10μW(最大100μW)。 并联电容:最大2.0pF。 绝缘电阻:在直流100V时大于500M欧姆。 振荡模式:基频。 冲击:从50cm高度落在硬木上3次, 频率变化小于±5 ppm, 电阻变化小于±15%或最大2欧姆。 老化:小于±5 ppm/年
品牌
HELE
封装
SMD3225-4P
库存
135
货期
现货
X3S025000BA1H-U参数
| 封装 | SMD3225-4P |
|---|---|
| 品牌 | HELE(台湾加高) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 无源晶振 |
|---|---|
| 库存 | 135 |
X3S025000BA1H-U概述
特性:频率:25.000000MHz。 频率公差:在25℃±3℃时为±10 ppm。 等效电阻:最大60欧姆/串联。 储存温度范围:-40℃至+85℃。 工作温度范围:-20℃至+70℃。 温度漂移:在-20℃至+70℃时为±10ppm。 负载电容(CL):10.0pF。 驱动电平:10μW(最大100μW)。 并联电容:最大2.0pF。 绝缘电阻:在直流100V时大于500M欧姆。 振荡模式:基频。 冲击:从50cm高度落在硬木上3次, 频率变化小于±5 ppm, 电阻变化小于±15%或最大2欧姆。 老化:小于±5 ppm/年
X3S025000BA1H-U特性
暂无产品特性。
X3S025000BA1H-U应用领域
暂无应用领域。
