X3S020000BI1H-HZ
IC
SMD3225-4P
可供量大可议
X3S020000BI1H-HZ
特性：频率：20.000000MHz。 频率公差：在25℃±3℃时为±10 ppm。 等效电阻：最大60欧姆/串联。 储存温度范围：-40℃至+85℃。 工作温度范围：-30℃至+85℃。 温度漂移：在-30℃至+85℃时为±10 ppm。 负载电容（CL）：18.0 pF±0.2 pF。 驱动电平：10 μW±2 μW（最大100μW）。 并联电容：最大2.0 pF。 绝缘电阻：在直流100V时大于500M欧姆。 振荡模式：基频。 冲击：从50 cm高度落在硬木上3次， 频率变化小于±5 ppm， 电阻变化小于±15%或最大2欧姆。 老化：小于±5 ppm/年
品牌
HELE
封装
SMD3225-4P
库存
940
货期
现货
X3S020000BI1H-HZ参数
| 封装 | SMD3225-4P |
|---|---|
| 品牌 | HELE(台湾加高) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 无源晶振 |
|---|---|
| 库存 | 940 |
X3S020000BI1H-HZ概述
特性：频率：20.000000MHz。 频率公差：在25℃±3℃时为±10 ppm。 等效电阻：最大60欧姆/串联。 储存温度范围：-40℃至+85℃。 工作温度范围：-30℃至+85℃。 温度漂移：在-30℃至+85℃时为±10 ppm。 负载电容（CL）：18.0 pF±0.2 pF。 驱动电平：10 μW±2 μW（最大100μW）。 并联电容：最大2.0 pF。 绝缘电阻：在直流100V时大于500M欧姆。 振荡模式：基频。 冲击：从50 cm高度落在硬木上3次， 频率变化小于±5 ppm， 电阻变化小于±15%或最大2欧姆。 老化：小于±5 ppm/年
X3S020000BI1H-HZ特性
暂无产品特性。
X3S020000BI1H-HZ应用领域
暂无应用领域。