X3S012000FK1H-HV
IC
SMD3225-4P
可供量大可议
X3S012000FK1H-HV
特性：频率：12.000000MHz。 频率公差：±30ppm（25℃±3℃）。 等效电阻：最大80欧姆（串联）。 储存温度范围：-40℃至+85℃。 工作温度范围：-30℃至+85℃。 温度漂移：±30ppm（-30℃至+85℃）。 负载电容（CL）：20.0pF±0.2pF。 驱动电平：10μW±2μW。 并联电容：最大2.0pF。 绝缘电阻：直流100V时大于500M欧姆。 振荡模式：基频。 冲击：从50cm高度落在硬木上3次， 频率变化小于±5ppm， 电阻变化小于±15%或最大2欧姆。 老化：小于±5ppm/年
品牌
HELE
封装
SMD3225-4P
库存
34
货期
现货
X3S012000FK1H-HV参数
| 封装 | SMD3225-4P |
|---|---|
| 品牌 | HELE(台湾加高) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 无源晶振 |
|---|---|
| 库存 | 34 |
X3S012000FK1H-HV概述
特性：频率：12.000000MHz。 频率公差：±30ppm（25℃±3℃）。 等效电阻：最大80欧姆（串联）。 储存温度范围：-40℃至+85℃。 工作温度范围：-30℃至+85℃。 温度漂移：±30ppm（-30℃至+85℃）。 负载电容（CL）：20.0pF±0.2pF。 驱动电平：10μW±2μW。 并联电容：最大2.0pF。 绝缘电阻：直流100V时大于500M欧姆。 振荡模式：基频。 冲击：从50cm高度落在硬木上3次， 频率变化小于±5ppm， 电阻变化小于±15%或最大2欧姆。 老化：小于±5ppm/年
X3S012000FK1H-HV特性
暂无产品特性。
X3S012000FK1H-HV应用领域
暂无应用领域。