X3S012000DC1H-V
IC
SMD3225-4P
可供量大可议
X3S012000DC1H-V
特性：频率:12.000000MHz。 频率公差:在25°C±3°C时为±20ppm。 等效电阻:最大120欧姆/串联。 储存温度范围:-40°C至+85°C。 工作温度范围:-40°C至+85°C。 温度漂移:在-40°C至+85°C时为±30ppm。 负载电容(CL):12.0pF。 驱动电平:10μW(最大300μW)。 并联电容:最大2.0pF。 绝缘电阻:在直流100V时大于500M欧姆。 振荡模式:基频。 冲击:从120cm高度在混凝土地板上掉落3次, 频率变化小于±5ppm, 电阻变化小于±15%或最大2欧姆。 老化:小于+3ppm/年。 湿度敏感度等级:1级
品牌
HELE
封装
SMD3225-4P
库存
1,485
货期
现货
X3S012000DC1H-V参数
| 封装 | SMD3225-4P |
|---|---|
| 品牌 | HELE(台湾加高) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 无源晶振 |
|---|---|
| 库存 | 1485 |
X3S012000DC1H-V概述
特性：频率:12.000000MHz。 频率公差:在25°C±3°C时为±20ppm。 等效电阻:最大120欧姆/串联。 储存温度范围:-40°C至+85°C。 工作温度范围:-40°C至+85°C。 温度漂移:在-40°C至+85°C时为±30ppm。 负载电容(CL):12.0pF。 驱动电平:10μW(最大300μW)。 并联电容:最大2.0pF。 绝缘电阻:在直流100V时大于500M欧姆。 振荡模式:基频。 冲击:从120cm高度在混凝土地板上掉落3次, 频率变化小于±5ppm, 电阻变化小于±15%或最大2欧姆。 老化:小于+3ppm/年。 湿度敏感度等级:1级
X3S012000DC1H-V特性
暂无产品特性。
X3S012000DC1H-V应用领域
暂无应用领域。