X1C032000B81H-HU
IC
SMD1612-4P
可供量大可议
X1C032000B81H-HU
特性：频率：32.000000MHz。 频率公差：在25℃±3℃时为±10ppm。 等效电阻：最大100欧姆/串联。 储存温度范围：-40℃至+85℃。 工作温度范围：-20℃至+70℃。 温度漂移：在-20℃至+70℃时为±10ppm。 负载电容（CL）：8.0pF。 驱动电平：10μW（最大100μW）。 并联电容：最大2.0pF。 绝缘电阻：在直流100V时大于500M欧姆。 振荡模式：基波。 冲击：从50cm高度落在硬木上3次， 频率变化小于±5ppm， 电阻变化小于±15%或最大2欧姆。 老化：小于±1ppm/年
品牌
HELE
封装
SMD1612-4P
库存
358
货期
现货
X1C032000B81H-HU参数
| 封装 | SMD1612-4P |
|---|---|
| 品牌 | HELE(台湾加高) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 无源晶振 |
|---|---|
| 库存 | 358 |
X1C032000B81H-HU概述
特性：频率：32.000000MHz。 频率公差：在25℃±3℃时为±10ppm。 等效电阻：最大100欧姆/串联。 储存温度范围：-40℃至+85℃。 工作温度范围：-20℃至+70℃。 温度漂移：在-20℃至+70℃时为±10ppm。 负载电容（CL）：8.0pF。 驱动电平：10μW（最大100μW）。 并联电容：最大2.0pF。 绝缘电阻：在直流100V时大于500M欧姆。 振荡模式：基波。 冲击：从50cm高度落在硬木上3次， 频率变化小于±5ppm， 电阻变化小于±15%或最大2欧姆。 老化：小于±1ppm/年
X1C032000B81H-HU特性
暂无产品特性。
X1C032000B81H-HU应用领域
暂无应用领域。