WTM90N03JD
IC
TO-252-2L
可供量大可议
WTM90N03JD
N沟道 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 90A 功率(Pd): 67W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 4.8mΩ@10V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
品牌
WPMtek
封装
TO-252-2L
库存
190
货期
现货
WTM90N03JD参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | WPMtek(维攀) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 190 |
WTM90N03JD概述
N沟道 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 90A 功率(Pd): 67W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 4.8mΩ@10V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
WTM90N03JD特性
暂无产品特性。
WTM90N03JD应用领域
暂无应用领域。