WTM80N06VD
IC
TO-252
可供量大可议
WTM80N06VD
N沟道增强型功率MOSFET， 额定电压60V/电流80A， 导通电阻低至7.5mΩ， 开关速度快， 适用于有源功率因数校正、高效开关电源及电子镇流器等应用。
品牌
WPMtek
封装
TO-252
库存
100
货期
现货
WTM80N06VD参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | WPMtek(维攀) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
WTM80N06VD概述
N沟道增强型功率MOSFET， 额定电压60V/电流80A， 导通电阻低至7.5mΩ， 开关速度快， 适用于有源功率因数校正、高效开关电源及电子镇流器等应用。
WTM80N06VD特性
暂无产品特性。
WTM80N06VD应用领域
暂无应用领域。