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WTM54N65AMP
IC

TO247

可供量大可议

WTM54N65AMP

N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 54A 功率(Pd): 178.1W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 68mΩ@10V, 14A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA

Brand

WPMtek

Package

TO247

Stock

25

货期

现货

WTM54N65AMPParameters

封装TO247
品牌WPMtek(维攀)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存25

WTM54N65AMP概述

N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 54A 功率(Pd): 178.1W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 68mΩ@10V, 14A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA

WTM54N65AMP特性

暂无产品特性。

WTM54N65AMP应用领域

暂无应用领域。

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