WTM40N65AP
IC
TO-220
可供量大可议
WTM40N65AP
N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 40A 功率(Pd): 43W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 90mΩ@10V, 15.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@1.7mA
品牌
WPMtek
封装
TO-220
库存
6
货期
现货
WTM40N65AP参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | WPMtek(维攀) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
WTM40N65AP概述
N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 40A 功率(Pd): 43W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 90mΩ@10V, 15.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@1.7mA
WTM40N65AP特性
暂无产品特性。
WTM40N65AP应用领域
暂无应用领域。