WTM30N20VP
IC
TO-247-3L
可供量大可议
WTM30N20VP
N沟道 漏源电压(Vdss): 200V 连续漏极电流(Id): 30A 功率(Pd): 178W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 75mΩ@10V, 18A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
品牌
WPMtek
封装
TO-247-3L
库存
95
货期
现货
WTM30N20VP参数
| 封装 | TO-247-3L |
|---|---|
| 品牌 | WPMtek(维攀) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
WTM30N20VP概述
N沟道 漏源电压(Vdss): 200V 连续漏极电流(Id): 30A 功率(Pd): 178W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 75mΩ@10V, 18A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
WTM30N20VP特性
暂无产品特性。
WTM30N20VP应用领域
暂无应用领域。