WTM30N02VD
IC
TO-252
可供量大可议
WTM30N02VD
N沟道增强型功率MOSFET， 额定电压20V/电流30A， 采用先进沟槽技术， 导通电阻仅6.7mΩ， 栅极电荷低， ESD能力强， 适用于电池开关、负载开关及SMPS等应用。
品牌
WPMtek
封装
TO-252
库存
100
货期
现货
WTM30N02VD参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | WPMtek(维攀) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
WTM30N02VD概述
N沟道增强型功率MOSFET， 额定电压20V/电流30A， 采用先进沟槽技术， 导通电阻仅6.7mΩ， 栅极电荷低， ESD能力强， 适用于电池开关、负载开关及SMPS等应用。
WTM30N02VD特性
暂无产品特性。
WTM30N02VD应用领域
暂无应用领域。