WTM25N65VMP
IC
TO-247-3L
可供量大可议
WTM25N65VMP
N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 25A 功率(Pd): 104W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 400mΩ@10V, 12.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
品牌
WPMtek
封装
TO-247-3L
库存
181
货期
现货
WTM25N65VMP参数
| 封装 | TO-247-3L |
|---|---|
| 品牌 | WPMtek(维攀) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 181 |
WTM25N65VMP概述
N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 25A 功率(Pd): 104W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 400mΩ@10V, 12.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
WTM25N65VMP特性
暂无产品特性。
WTM25N65VMP应用领域
暂无应用领域。