WTM20N65VMP

该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术， 可最大限度地降低导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于基于半桥拓扑的高效开关电源和有源功率因数校正。