WTM20N65FMP
IC
TO-247
可供量大可议
WTM20N65FMP
N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 20A 功率(Pd): 36W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 190mΩ@10V, 8.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1.7mA
品牌
WPMtek
封装
TO-247
库存
30
货期
现货
WTM20N65FMP参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | WPMtek(维攀) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
WTM20N65FMP概述
N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 20A 功率(Pd): 36W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 190mΩ@10V, 8.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1.7mA
WTM20N65FMP特性
暂无产品特性。
WTM20N65FMP应用领域
暂无应用领域。