WTM20N65CP
IC
TO-220
可供量大可议
WTM20N65CP
N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 20A 功率(Pd): 36W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 180mΩ@10V, 10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA
品牌
WPMtek
封装
TO-220
库存
50
货期
现货
WTM20N65CP参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | WPMtek(维攀) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
WTM20N65CP概述
N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 20A 功率(Pd): 36W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 180mΩ@10V, 10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA
WTM20N65CP特性
暂无产品特性。
WTM20N65CP应用领域
暂无应用领域。