WTM20N03VD
IC
TO-252
可供量大可议
WTM20N03VD
N沟道增强型功率MOSFET， 额定电压30V/电流20A， 导通电阻15.5mΩ， 逻辑电平驱动， 低栅极电荷×导通电阻乘积优， 适用于快速开关降压转换器等应用， 工作温度可达175℃。
品牌
WPMtek
封装
TO-252
库存
55
货期
现货
WTM20N03VD参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | WPMtek(维攀) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 55 |
WTM20N03VD概述
N沟道增强型功率MOSFET， 额定电压30V/电流20A， 导通电阻15.5mΩ， 逻辑电平驱动， 低栅极电荷×导通电阻乘积优， 适用于快速开关降压转换器等应用， 工作温度可达175℃。
WTM20N03VD特性
暂无产品特性。
WTM20N03VD应用领域
暂无应用领域。