WTM18N20VD
IC
TO-252
可供量大可议
WTM18N20VD
N沟道 漏源电压(Vdss): 200V 连续漏极电流(Id): 18A 功率(Pd): 62.5W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 200mΩ@10V, 9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
品牌
WPMtek
封装
TO-252
库存
185
货期
现货
WTM18N20VD参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | WPMtek(维攀) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 185 |
WTM18N20VD概述
N沟道 漏源电压(Vdss): 200V 连续漏极电流(Id): 18A 功率(Pd): 62.5W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 200mΩ@10V, 9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
WTM18N20VD特性
暂无产品特性。
WTM18N20VD应用领域
暂无应用领域。