WTM11N65ANF
IC
PDFN5x6-8
可供量大可议
WTM11N65ANF
N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 11A 功率(Pd): 78W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 380mΩ@10V, 3.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@370uA
品牌
WPMtek
封装
PDFN5x6-8
库存
154
货期
现货
WTM11N65ANF参数
| 封装 | PDFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | WPMtek(维攀) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 154 |
WTM11N65ANF概述
N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 11A 功率(Pd): 78W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 380mΩ@10V, 3.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@370uA
WTM11N65ANF特性
暂无产品特性。
WTM11N65ANF应用领域
暂无应用领域。