WTM09N20VD
IC
TO-252
可供量大可议
WTM09N20VD
特性：先进的平面工艺。 低导通电阻：典型值为 0.26Ω（VGS = 10V 时）。 低栅极电荷， 可降低开关损耗。 坚固的多晶硅栅极结构。 应用：无刷直流电机驱动器。 电焊机
品牌
WPMtek
封装
TO-252
库存
50
货期
现货
WTM09N20VD参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | WPMtek(维攀) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
WTM09N20VD概述
特性：先进的平面工艺。 低导通电阻：典型值为 0.26Ω（VGS = 10V 时）。 低栅极电荷， 可降低开关损耗。 坚固的多晶硅栅极结构。 应用：无刷直流电机驱动器。 电焊机
WTM09N20VD特性
暂无产品特性。
WTM09N20VD应用领域
暂无应用领域。