WTM07N65VD
IC
TO-252
可供量大可议
WTM07N65VD
N沟道平面功率MOSFET， 额定电压650V/电流7A， 导通电阻1.25Ω， 具备快速开关、低栅极电荷及高雪崩能量特性， 适用于高速开关电源及适配器等应用。
品牌
WPMtek
封装
TO-252
库存
90
货期
现货
WTM07N65VD参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | WPMtek(维攀) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
WTM07N65VD概述
N沟道平面功率MOSFET， 额定电压650V/电流7A， 导通电阻1.25Ω， 具备快速开关、低栅极电荷及高雪崩能量特性， 适用于高速开关电源及适配器等应用。
WTM07N65VD特性
暂无产品特性。
WTM07N65VD应用领域
暂无应用领域。