WTM05N50VD
IC
TO-252
可供量大可议
WTM05N50VD
N沟道平面DMOS功率MOSFET， 额定电压500V/电流5A， 导通电阻1.4Ω， 采用平面条状及DMOS技术， 低导通电阻、高开关性能， 可承受高能量雪崩脉冲， 适用于开关电源及电机控制等应用。
品牌
WPMtek
封装
TO-252
库存
80
货期
现货
WTM05N50VD参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | WPMtek(维攀) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
WTM05N50VD概述
N沟道平面DMOS功率MOSFET， 额定电压500V/电流5A， 导通电阻1.4Ω， 采用平面条状及DMOS技术， 低导通电阻、高开关性能， 可承受高能量雪崩脉冲， 适用于开关电源及电机控制等应用。
WTM05N50VD特性
暂无产品特性。
WTM05N50VD应用领域
暂无应用领域。