WTM0550N15JP
IC
TO-220C-3L
可供量大可议
WTM0550N15JP
N沟道 漏源电压(Vdss): 150V 连续漏极电流(Id): 155A 功率(Pd): 312W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 5.5mΩ@10V, 30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
品牌
WPMtek
封装
TO-220C-3L
库存
43
货期
现货
WTM0550N15JP参数
| 封装 | TO-220C-3L |
|---|---|
| 品牌 | WPMtek(维攀) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 43 |
WTM0550N15JP概述
N沟道 漏源电压(Vdss): 150V 连续漏极电流(Id): 155A 功率(Pd): 312W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs, Id): 5.5mΩ@10V, 30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
WTM0550N15JP特性
暂无产品特性。
WTM0550N15JP应用领域
暂无应用领域。