WTM02N65VD
IC
TO-252
可供量大可议
WTM02N65VD
N沟道高压平面功率MOSFET， 额定电压650V/电流2A， 导通电阻3.9Ω， 栅极电荷仅45nC， 低反向传输电容， 高速开关性能优异， 适用于开关电源、电机控制及DC/DC转换器等应用。
品牌
WPMtek
封装
TO-252
库存
70
货期
现货
WTM02N65VD参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | WPMtek(维攀) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
WTM02N65VD概述
N沟道高压平面功率MOSFET， 额定电压650V/电流2A， 导通电阻3.9Ω， 栅极电荷仅45nC， 低反向传输电容， 高速开关性能优异， 适用于开关电源、电机控制及DC/DC转换器等应用。
WTM02N65VD特性
暂无产品特性。
WTM02N65VD应用领域
暂无应用领域。