WST2005
IC
SOT-323
可供量大可议
WST2005
H 是采用高单元密度和 DMOS 沟槽技术制造的 P 沟道增强型功率 MOSFET。 该器件特别适用于低电压应用， 尤其适用于电池供电电路， 其小巧纤薄的外形可节省 PCB 占用空间。 符合 RoHS 标准
品牌
WINSOK
封装
SOT-323
库存
1,340
货期
现货
WST2005参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | WINSOK(微硕) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1340 |
WST2005概述
H 是采用高单元密度和 DMOS 沟槽技术制造的 P 沟道增强型功率 MOSFET。 该器件特别适用于低电压应用， 尤其适用于电池供电电路， 其小巧纤薄的外形可节省 PCB 占用空间。 符合 RoHS 标准
WST2005特性
暂无产品特性。
WST2005应用领域
暂无应用领域。